如何向芯片设计企业推荐最合适的工艺，芯片设计企业应该怎么权衡?不久前，在珠海举行的“2018中国集成电路设计业年会(ICCAD)”期间， 芯原微电子、Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司、UMC(和舰)公司分别介绍了他们的看法。

　　图 从左至右：Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司总裁王琦博士、芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士、UMC(和舰)公司副总经理林伟圣

　　先进工艺选择的考量

　　芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士称，28 nm以前一切是很好的、没有争议的：芯片特征尺寸降低后，功耗低、成本低、速度高;但28 nm以后就开始不一样，很多企业在20 nm做了一代以后就没怎么往下做了。再看最前沿的企业，台积电的7 nm工艺已出炉。但也有些企业为了做7 nm赶在前面，肯定10 nm没有做全。实际上，7 nm客户目前不太多，就是苹果等几家公司。

　　关键是7 nm的EUV机器没法先做出来，没有EUV机器，会多一二十层mask(掩模)，因此马上就有了7nm Plus EUV工艺。但直到5 nm才真正把EUV用上去。需要强调的是，FinFET很好，但必须要有EUV机器出来。

　　但前面的工艺，例如55nm, 做十多年都没问题。但FinFET 每代可能就五六年时间就没有了，下一代比这一代还好，就不用原来的工艺了。例如用了10/12 nm，14/16 nm就不要了。7 nm做好了，可能10/12 nm就不用了……。所以做10、7 nm的客户今天还在期盼着5 nm，不会期盼7nm Plus EUV，所以这条路很有挑战性，目前看只有台积电做得起，三星做DRAM很有经验，资金很多，但7 nm这个节点还要看。等最后可能是5、3 nm时，谁还能做得起?

　　所以28 nm肯定没有问题。55 nm也很好。到后来是7、5 nm的芯片有可能出来，因为有历史的原因——7 nm客户不上了，就等5 nm了。但是从28 nm到5 nm之间不能是空白、没有节点了，所以FD-SOI的4个节点有意义，例如三星的28、18 nm，格芯的22、12 nm等。所以客户也许会采取两条腿走路的方式。

　　但值得一提的是，我们不是不会做FinFET才去做FD-SOI，当你整个规模很大，100%资源还不够，那就用FinFET。如果IoT很多，20%资源还不够用，需要特别高的工艺，特别是RF集成，适合用RF-SOI工艺。

　　明确自己的定位

　　Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司总裁王琦博士称，从Cadence所擅长的EDA和IP角度看，设计和制造的投资都很大，因此要进行一个平衡：你要做第一名、第一梯队的成员，就要用最先进的技术。现在，摩尔定律已经明确地出现放缓迹象，持续推动技术进步并实现先进节点工艺是发展的关键。Cadence 已经大举投资了7 nm和5 nm工艺研发并取得巨大成功;我们将继续投资 3纳米工艺技术以及未来更先进的制程工艺。

　　另外，Cadence选择在会在南京拓展IP战略，源于Cadence在IP端一直致力于先进进程，可是国内在成熟节点上依然有很大市场。所以南京凯鼎的主要任务就是把同样的IP技术移植到中国来，例如Cadence在7 nm已经验证的IP反向移植到22 nm、28 nm等平台中。

　　王琦博士表示，市场在哪里，投资就会在哪里，而现在的市场就在中国。“全世界半导体除了中国之外，增长率相对较非常低，作为EDA 工具和IP服务商，一定要贴近客户，尤其是中国有这么多具有活力和创新力的中小型公司，他们都有自己的定位和想法，还有这么丰富的应用场景，这就是中国市场最吸引人的地方。”

　　特色工艺的超级节点是55 nm和28 nm

　　UMC主打特色工艺。UMC副总经理林伟圣指出，如果现在看整个工艺的发展，如果从90、55、40、28 nm来看，现在先进工艺不谈，只谈特色工艺。特色工艺里的55 nm是一个超级节点，因此其现在涵盖的产品，从RF到超低功耗、嵌入式非易失、高压、VCD等，对于这些产品，55 nm是一个超级节点。

　　下一个超级节点是多少?应该是28 nm节点。如果把28 nm节点与40 nm工艺比较，28 nm节点速度快，但是漏电比40 nm好一点。另外28 nm还有非常广的应用，其中之一是在RF方面。因为我们现在看到像4G的RF，2.4 GHz用在28 nm工艺上没有问题，而且现在热议的5G、sub-GHz也是在28这个节点，甚至我们讲到new radio也是在28 nm这个节点。

　　如果去看整个28 nm节点的RF特性，只要芯片的主频是小于100G，基本上在22 nm这个节点是可以做的。这代表什么意思?有一个mini-watt基站芯片，22 nm这个节点就足够了。在RF工艺上，有些客户要做高频RF特性，用22 nm这个节点就可以。

　　还有一个驱动器的例子。市面上看到的屏是所谓的TDDI，现在主流是80 nm的高压驱动器，不带SRAM;但是国内现在有像京东方、国显、华星光电等已经开了一系列的AMOLED的厂出来，这些厂出来的产品良率不是很好，所以必须做一些修复，因此驱动器本身要带较多的SRAM。为此，目前来看，40 nm高压是一个非常好的节点。也有人认为可以从55 nm开始做，毕竟55 nm的开发费用比40 nm低一些。所以AMOLED如果要带SRAM修复，基本会从55 nm切入，接下来是40 nm。

　　那么，对于显示驱动器，28 nm的机会在哪里呢?三星提出一些VR应用的芯片，由于刷新度要求非常快，每秒要120帧，因为要防止晕眩，分辨率要达到4K，因此就需要非常大的计算能力，所以28 nm的高压工艺会在28 nm节点切入进来。

　　简而言之，55 nm节点由于其特殊性，应该还会维持未来的需求当量。未来如果还要再往高性能走的话，可能下一个超级节点就在28 nm。